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製品紹介


卓上型酸化物単結晶育成装置


TCR-3
(抵抗加熱式) / TCH-3(誘導加熱式)

特長
1.研究室及び学生実験向け小型単結晶育成装置(CZ法)です。
2.抵抗加熱式、誘導加熱式を選択できます。
3.加熱調節計には自動昇降温機能を搭載。
4.コンパクト設計により操作性が向上。省エネ型でもあります。
5.オプションの使用により以下の育成実験が可能です。

 ・TSSG法(キロポーラス法)
 ・BM法(ルツボ吊り下げ方式)
 ・LPE法(ディッピング法)

 

製品仕様表

型式・名称 TCR-3 TCH-3
加熱方式 抵抗加熱(金属ヒータ) 誘導加熱(高周波発振機)
加熱温度 1200℃ 1800℃
ルツボサイズ ø 30(OD) ×30(H)mm
炉心管サイズ ø 61(ID) ×450(H)mm
引上ストローク 350mm
移動速度 1〜10mm/h
回転速度 3〜30rpm
炉内雰囲気 Ar 又はN2
設備電源容量 1ø AC200V 4KVA 20A 1ø AC200V 6KVA 30A
外形サイズ(mm) W700×D500×H1125 W750×D650×H1950
オプション ロードセル(20N用)

* 高周波発振機の標準は3KWです。5KWまで搭載が可能です。
* 特殊仕様品製作を承ります。

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