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製品紹介
TCR-5C


上部確認窓から見たルツボ内部

シリコン単結晶引き上げ装置

形式:TCR-5C/TCR-15C

特徴

1. 実験・研究用の小型シリコン単結晶育成装置(CZ法)です。
2. ステンレス製缶体内は,アルゴンガス雰囲気を制御します。
3. 発熱体はカーボンヒーターによる、抵抗加熱式です。
4. 炉内の温度制御は熱電対制御方式です。


構成

1. 単結晶引き上げ炉
2. 制御盤
3. 手元装置ボックス
4. 電源ボックス

主な仕様

型式名称 TCR-5C TCR-15C
ルツボ寸法 φ3in, × 3in, φ6in, × 6in,
試料チャージ量 350g 2500g
加熱方式 抵抗加熱式(カーボンヒーター)
引上げ軸ストローク 500mm 1200mm
引上軸移動速度 0.5〜3 mm/分
引上軸回転速度 2.0〜20 rpm
ルツボ軸ストローク 100mm
ルツボ軸移動速度 0.1〜1 mm/分
ルツボ軸回転速度 1〜8 rpm
缶体サイズ φ350×L500mm φ400×L600mm
設備電源容量 25 kVA 45kVA


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